期刊名称：半导体技术RCCSE(B+)(2020第六版),科技核心（2023自然科学）,中文核心（2023年版） 复合影响因子：0.701 第一批认定学术期刊,
- 主办单位：中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所
- 国内刊号：13-1109/TN
- 国际刊号：1003-353X
- 出刊周期：月刊
- 级别：RCCSE(B+)(2020第六版),科技核心（2023自然科学）,中文核心（2023年版） 复合影响因子：0.701 第一批认定学术期刊,
- 查重要求： 论文查重
- 字数要求： 登录后查看
- 审稿周期： 登录后查看
- 见刊周期： 登录后查看
- 论文模板： 登录后查看
- 版面费收取参考： 登录后查看
- 投稿渠道： 登录后查看
- 投稿所需资料： 登录后查看
- 2018-12-03对接生长技术在复杂单片光子集成芯片中的应用研究
- 摘要:对接生长技术在复杂单片光子集成芯片中的应用研究为王赛男最新的研究成果，本论文的主要观点为主要研究了对接生长技术的优化工艺及其在光子集成器件中
- 2018-05-31GaN基MMIC宽带功率放大器研究
- 摘要:摘要在过去的十多年中，氮化镓（GaN）[1]在射频和微波高功率放大器设计方面固有的优势已经彻底地得到论证，随着国内外GaN工艺的成熟及其相关产品的问
- 2018-04-25采用优化曝光时间法的高精度视觉测量技术
- 摘要:摘要:在视觉测量中，测量值和真实值之间不可避免的会出现测量误差。尤其是在精密测量系统中，减少测量误差成为人们关心的主要问题。在诸多因素中，图
- 2018-01-07氧化钒基非制冷红外探测器性能研究
- 摘要:氧化钒(VOx)由于电阻温度系数(TCR)高，合适的电阻，较低的沉积温度，可与金属材料形成良好的欧姆接触等原因，在非制冷红外探测器中作为敏感材料获得了应用，并达到实用化程度。探测器的比探测率、噪声大小以及氧化钒薄膜本身的TCR的大小是评价 VOx为敏感材料的非制冷探测器的重要技术指标。
