半导体技术2024年10期
- 半导体材料与器件
- 电网用5200V压接式逆导IGBT模块朱利恒;王滨;蔡海;陈星;覃荣震;肖强;
- IGCT过应力关断下动态雪崩诱发的电压自箝位效应董曼玲;姚德贵;宋伟;张嘉涛;肖超;鲁一苇;杨武华;
- ALD法制备Li掺杂NiO_x作为HTL提升PSC性能罗启仁;刘昌;吴昊;
- 半导体制备技术
- 基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜黄梦茹;卢林红;郭丰杰;马奎;杨发顺;
- 集成电路设计与应用
- 用于高精度模数转换器的CMOS可变增益放大器李振国;苏萌;田迪;肖春;侯佳力;胡毅;沈红伟;王亚彬;
- 一种采用激光修调的高精度带隙基准电压源韩前磊;王成皓;钟道鸿;杨伟伟;
- 封装、检测与设备
- 基于MLP-Bagging的PCB电热耦合建模方法耿悦;周远国;任强;梁尚清;杨国卿;
- 基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法陈耀峰;
- 三维量子芯片硅通孔热应力对阻止区的影响谢雯婷;张立廷;陈小婷;卢向军;
- 高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用晁拴社;林欣毅;何潇;梅娜;杨丹;王梦华;欧阳可青;
- 工业级芯片热管理与漏电流阈值设定技术李博夫;段士华;韩顺枫;李大猛;杨宝斌;张娜;李德建;
- 高海拔环境下压接式半导体器件的外绝缘特性任成林;鲁翔;闫旭阳;孙帮新;程周强;谢文杰;