《半导体技术》2017年10期刊登目录
目录
半导体集成电路
宽带高增益输出平衡CMOS低噪声放大器的设计
邹雪城;余杨;邹维;任达明; 721-725
负电荷泵LED驱动芯片的设计与实现
肖倩倩;杨维明;鲍钰文; 726-731+778
半导体器件
不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN的记忆效应
李淑萍;孙世闯;张宝顺; 732-735+789
压接型IGBT器件单芯片子模组功率循环试验仿真
张经纬;邓二平;赵志斌;李金元;黄永章; 736-743
SiC电力电子器件研究现状及新进展
刘佳佳;刘英坤;谭永亮; 744-753
半导体制造技术
高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响
周钦佩;张静;夏经华;许恒宇;万彩萍;韩锴; 754-758
热原子层沉积技术制备TiAlCN薄膜的特性
杨永亮;李娜;陈广萍;岳莉; 759-764
快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响
闫晓密;黄慧诗;华斌;张秀敏;莫晓帆;周东; 765-768
硒化镉晶片的化学机械抛光
高彦昭;杨瑞霞;张颖武;王健;徐世海;程红娟; 769-773
半导体材料
选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性
黄溥曼;陈杰;韩小标;钟昌明;潘郑州;邢洁莹;杨杭;张佰君; 774-778
先进封装技术
一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装
刘秀博;王绍东;王志强;付兴昌; 779-783
可靠性
多模计数器静电放电损伤的失效分析
席善斌;裴选;刘玮;高兆丰;彭浩;黄杰; 784-789
半导体检测与设备
利用显微喇曼光谱进行SiC单晶片应力分析
窦瑛;张颖; 790-793+800
硅外延生长高频感应系统的热场仿真
陈涛;李普生;图布新;李明达; 794-800