《半导体技术》2017年09期刊登目录
目录
趋势与展望
光源掩模协同优化的原理与应用
陈文辉;何建芳;董立松;韦亚一; 641-649
半导体集成电路
还原时间对AlO_x/WO_x RRAM开关速度的调制作用
徐娟;傅雅蓉;林殷茵; 650-655+668
一种高速宽带升压转换器斜坡补偿电路的设计
王雪原;周建伟;林鹏程; 656-662
高性能栅压自举开关的设计
穆敏宏;叶凡;陈勇臻; 663-668
半导体器件
逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
邓小社;郭绪阳;李泽宏;张波;张大成; 669-674+695
使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED
杜泽杰;段瑞飞;魏同波;张硕;王军喜;曾一平;冉军学;李晋闽; 675-680
一种新型SiC SBD的高温反向恢复特性
文奎;郝俊艳;何雨龙;林希贤;杨帅;张艺蒙; 681-686
压力对换流阀用压接型IGBT器件功率损耗的影响
申雅茹;邓二平;赵志斌;李金元;黄永章; 687-695
半导体制造技术
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
朱邵歆;陈翔;闫建昌;张韵;王军喜;李晋闽; 696-700+716
Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触
徐真逸;叶斌斌;蓝剑越;董超;李雪威;王建峰;徐科; 701-705
溅射AlN技术对GaN基LED性能的影响
张洁; 706-710
可靠性
高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位
李含;郑宏宇;张崤君; 711-716
28 nm低功耗工艺SRAM失效分析
魏文;蔡恩静;高金德; 717-720